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Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究
引用本文:陈昂.Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究[J].科学通报,1992,37(11):977-977.
作者姓名:陈昂
作者单位:浙江大学物理系,浙江大学材料系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,武汉大学物理系,武汉大学物理系 杭州 310027,杭州 310027,武汉 430074,武汉 430074,武汉 430072,武汉 430072
摘    要:元素替代效应已成为研究高温超导陶瓷的重要方法之一,而元素替代的真实位置是讨论替代效应的基本点。正电子湮没技术高度敏感于材料中的电子结构与缺陷机构。自从Jean等人首次报道了在高温超导陶瓷中的正电子湮没谱后,许多工作表明正电子湮没技术也是研究该类材料的有力工具。特别是近来一系列的理论计算与实验研究,表明了在高温超

关 键 词:高温超导体  元素替代  正电子湮没寿命谱
收稿时间:1991-10-25
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