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| Cu-Fe共掺杂TiO2电子结构与抗紫外线能力 | |
| 引用本文： | 方文玉,赵军,刘春景.Cu-Fe共掺杂TiO2电子结构与抗紫外线能力[J].华中师范大学学报(自然科学版),2019,55(4). |
| 作者姓名： | 方文玉 赵军 刘春景 |
| 作者单位： | 湖北医药学院公共卫生与管理学院,湖北十堰442000;武汉理工大学理学院,武汉430070;湖北医药学院公共卫生与管理学院,湖北十堰,442000 |
| 基金项目： | 十堰市市级引导性科研项目;湖北医药学院人才启动金项目 |
| 摘 要： | 采用了基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征TiO_2,Cu、Fe单掺杂及共掺杂TiO_2电子结构和光学性质.计算结果表明:Cu掺杂属于p型掺杂,Fe掺杂均属于n型掺杂,掺杂能够提升TiO_2的载流子浓度,改善其导电性.掺杂后,半导体的吸收边发生红移,且光学性质变化主要集中在低能量区域.Cu-Fe共掺杂时,掺杂体系同时拥有较大的吸收系数与反射率,且能够明显降低紫外线透射率,具有较好的抗紫外线效果. |
| 关 键 词： | TiO2 电子结构 光学性质 抗紫外线能力 |
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