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微旋转结构法测量Al薄膜的残余应力
作者姓名:于映  丁可柯  花婷婷  薄亚明  张明  张彤
作者单位:[1]南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023 [2]东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京210096 [3]东南大学电子科学与工程学院,江苏南京210096
基金项目:南京邮电大学人才引进项目(NY208032)、毫米波国家重点实验室开放课题(K201412)资助项目
摘    要:薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力.文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对m薄膜的残余应力进行了测量和计算.实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80~110 GPa之间.对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为31 ~34 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合.

关 键 词:微旋转结构  Al薄膜  残余应力
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