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| C轴择优取向AlN薄膜的制备研究 | |
| 作者姓名： | 李位勇 张凯 徐丹丹 陈丽丽 顾豪爽 |
| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院 湖北大学物理学与电子技术学院 武汉 |
| 摘 要： | 采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜. |
| 关 键 词： | AlN薄膜 直流磁控反应溅射 C轴择优取向 |
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