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| Cu薄膜生长初期的计算机模拟 | |
| 作者姓名： | 刘楠 赵长春 孙瑶 王新 李野 端木庆铎 |
| 作者单位： | 长春理工大学 理学院, 长春 130022 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11004016) |
| 摘 要： | 基于Monte Carlo模型, 在理想基底上设置100×100的二维方形格, 利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型, 并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律. 结果表明: 当沉积粒子数逐渐增加时, 基底表面的粒子团簇结构逐渐增大; 在温度不变的条件下, 随着最大迁移步数的增加, 团簇逐渐增大, 团簇数量逐渐减小, 且团簇分布逐渐稀疏; 温度升高使粒子聚集为岛状, 薄膜呈岛状生长. |
| 关 键 词： | onte Carlo模型 Cu薄膜 计算机模拟 |
| 收稿时间： | 2012-03-26 |
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