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SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响
引用本文:周江云,李琼,徐静芳,茅东升,柳襄怀.SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响[J].华东师范大学学报(自然科学版),2000(2).
作者姓名:周江云  李琼  徐静芳  茅东升  柳襄怀
作者单位:华东师范大学电子科学技术系!上海200062,华东师范大学电子科学技术系!上海200062,华东师范大学电子科学技术系!上海200062,中科院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海200052,中科院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海200052,中科院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海2000
基金项目:国家自然科学基金资助!(No.69671 0 1 1 )
摘    要:该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。

关 键 词:非晶金刚石薄膜  真空磁过滤弧沉积  SP2键  场发射

The Effect of SP~2 Content on Field Emission Character of Amorphous Diamond Film
ZHOU Jiang-yun-,LI Qiong-,XU Jing-fang- ,XU Jing-fang -,MAO Dong-sheng-,LIU Xiang-huai-.The Effect of SP~2 Content on Field Emission Character of Amorphous Diamond Film[J].Journal of East China Normal University(Natural Science),2000(2).
Authors:ZHOU Jiang-yun-  LI Qiong-  XU Jing-fang-    XU Jing-fang -  MAO Dong-sheng-  LIU Xiang-huai-
Institution:ZHOU Jiang-yun-1,LI Qiong-1,XU Jing-fang- 1,2,XU Jing-fang -2,MAO Dong-sheng-2,LIU Xiang-huai-2
Abstract:
Keywords:amorphous diamond film (a-DF)  filtered are  deposition (FAD)  SP-2 bond  field emission
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
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