| 压力对β-Si3N4的电子结构和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 潘洪哲,徐明,丁迎春,沈益斌.压力对β-Si3N4的电子结构和光学性质的影响[J].四川师范大学学报(自然科学版),2007,30(3):355-359. |
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| 作者姓名： | 潘洪哲 徐明 丁迎春 沈益斌 |
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| 作者单位： | 1. 临沂师范学院,物理系,山东,临沂,276005
2. 四川师范大学,物理与电子工程学院&固体物理研究所,四川,成都,610066 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函平面波赝势方法（PWP）和广义梯度近似（GGA）,对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.
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| 关 键 词： | 氮化硅 电子结构 光学性质 |
| 文章编号： | 1001-8395（2007）03-0355-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-12 |
| 修稿时间： | 2005-12-12 |
The Influence of Pressure on the Electronic Structure and Optical Properties of β-Si3N4 |
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| PAN Hong-zhe,XU Ming,DING Ying-chun,SHEN Yi-bin.The Influence of Pressure on the Electronic Structure and Optical Properties of β-Si3N4[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2007,30(3):355-359. |
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| Authors: | PAN Hong-zhe XU Ming DING Ying-chun SHEN Yi-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si3 N4 Electronic structure Optical properties |
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