| 离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究 |
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| 引用本文： | 张建民,王国瑞. 离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究[J]. 陕西师范大学学报(自然科学版), 1991, 0(1) |
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| 作者姓名： | 张建民 王国瑞 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学物理系，陕西省卫生防疫站 |
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| 摘 要： | ![]()
1 离子束蚀刻实验 1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。
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The study of step topography of grooves on silicon wafer durino ion beam etchino |
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| Zhang Jian min. The study of step topography of grooves on silicon wafer durino ion beam etchino[J]. Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed, 1991, 0(1) |
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| Authors: | Zhang Jian min |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ion beam etching sputtering yield topography |
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