基于功耗约束的电容交叉耦合低噪声放大器 |
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引用本文: | 韩名君,陈素芹,葛胜升.基于功耗约束的电容交叉耦合低噪声放大器[J].科技信息,2013(14):67-67,75. |
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作者姓名: | 韩名君 陈素芹 葛胜升 |
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作者单位: | 芜湖职业技术学院电子信息系 |
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摘 要: | 本文在TSMC0.18μm CMOS工艺下,采用差分电路结构,通过功耗约束的噪声优化方法设计了一个2GHz下的CMOS无线射频接收模块低噪声放大器。本文使用限定功耗的噪声优化方法设计放大器的器件参数,并且在电感负反馈cascode LNA的基础上引入一对交叉耦合的电容,消除了寄生电容的影响。通过EAD工具ADS2009软件对电路进行仿真,仿真结果表明本文所设计的低噪声放大器在1.8V供电下的主要参数为23.23dB的增益、0.778dB的噪声指数及11.5mw的功率消耗。
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关 键 词: | CMOS 低噪声放大器 噪声优化 电容交叉耦合 功耗限定 |
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