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基于功耗约束的电容交叉耦合低噪声放大器
引用本文:韩名君,陈素芹,葛胜升.基于功耗约束的电容交叉耦合低噪声放大器[J].科技信息,2013(14):67-67,75.
作者姓名:韩名君  陈素芹  葛胜升
作者单位:芜湖职业技术学院电子信息系
摘    要:本文在TSMC0.18μm CMOS工艺下,采用差分电路结构,通过功耗约束的噪声优化方法设计了一个2GHz下的CMOS无线射频接收模块低噪声放大器。本文使用限定功耗的噪声优化方法设计放大器的器件参数,并且在电感负反馈cascode LNA的基础上引入一对交叉耦合的电容,消除了寄生电容的影响。通过EAD工具ADS2009软件对电路进行仿真,仿真结果表明本文所设计的低噪声放大器在1.8V供电下的主要参数为23.23dB的增益、0.778dB的噪声指数及11.5mw的功率消耗。

关 键 词:CMOS  低噪声放大器  噪声优化  电容交叉耦合  功耗限定
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