聚谷氨酸修饰碳糊电极的制备及其对铜离子的测定 |
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引用本文: | 周学酬,郑新宇,吕日新,李清禄.聚谷氨酸修饰碳糊电极的制备及其对铜离子的测定[J].云南大学学报(自然科学版),2012,34(5):581-585. |
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作者姓名: | 周学酬 郑新宇 吕日新 李清禄 |
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作者单位: | 福建农林大学生命科学学院 |
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基金项目: | 福建省科技厅重点项目资助(2009H0005) |
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摘 要: | 制备了聚谷氨酸修饰碳糊电极,通过循环伏安法和交流阻抗法研究了K4Fe(CN)6/K3Fe(CN)6在修饰电极上的电化学行为,结果显示碳糊电极修饰聚谷氨酸后,K4Fe(CN)6/K3Fe(CN)6的氧化还原峰电流变大、交流阻抗变小.采用阳极溶出伏安法将所修饰碳糊电极用于铜离子的检测,在pH=4.50的醋酸-醋酸钠缓冲液中,于-0.20 V 电位下将Cu2+还原富集后再进行阳极氧化扫描,在0.14 V处获得一灵敏的铜的溶出峰,峰电流与铜浓度在1.57×10-8~1.57×10-5 mol/L的范围内呈良好的线性关系,最低检测限为5.00×10-9 mol/L.制备的聚谷氨酸修饰碳糊电极成功用于铜离子的测定.
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关 键 词: | 碳糊电极 聚谷氨酸 铜离子 微分脉冲伏安法 |
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