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半导体激光器电光采样测量技术的研究
引用本文:王艳辉,衣茂斌.半导体激光器电光采样测量技术的研究[J].大连理工大学学报,1998,38(5):521-524.
作者姓名:王艳辉  衣茂斌
作者单位:[1]大连理工大学物理系 [2]吉林大学电子工程系
基金项目:国家“八六三”高技术资助项目
摘    要:研制了1.3μm半导体激光器电光采样测试装置,并对测试系统的性能进行了分析研究,确定了系统的时间分辨率为16.7ps,电压灵敏度为0.26mV/Hz,工作频率可在1~5GHz连续改变.通过测量HP33005C疏状脉冲发生器产生的超短电信号,证明了系统的时间分辨率高于Tek7104采样示波器(带S4采样头).对高速Ge探测器脉冲响应特性的测量进一步说明了系统的实用性.

关 键 词:半导体激光器  时间分辨率  灵敏度  电光采样测量
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