| 电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜 |
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| 引用本文： | 朱燕艳,徐润,陈圣,方泽波,薛菲,樊永良,蒋最敏.电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜[J].江西科学,2005(4). |
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| 作者姓名： | 朱燕艳 徐润 陈圣 方泽波 薛菲 樊永良 蒋最敏 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433
(朱燕艳，徐润，陈圣，方泽波，薛菲，樊永良)，复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433(蒋最敏) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001CB3095,10321003和60425411)资助的课题。 |
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| 摘 要： | 使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。
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| 关 键 词： | 分子束外延 Er2O3 介质膜 |
Epitaxial Growth of Er_2O_3 Films by MBE |
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| ZHU Yan-yan,XU Run,CHEN Sheng,FANG Ze-bo,XUE Fei,FAN Yong-liang,JIANG Zui-min.Epitaxial Growth of Er_2O_3 Films by MBE[J].Jiangxi Science,2005(4). |
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| Authors: | ZHU Yan-yan XU Run CHEN Sheng FANG Ze-bo XUE Fei FAN Yong-liang JIANG Zui-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MBE Erbium oxide Epitaxial growth |
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