| 热处理温度对金锗薄膜电阻的影响 |
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| 引用本文： | 李玉智,毛鑫,石轩,王春香,赵洪泉,王俊忠.热处理温度对金锗薄膜电阻的影响[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2019(1). |
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| 作者姓名： | 李玉智 毛鑫 石轩 王春香 赵洪泉 王俊忠 |
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| 作者单位： | 西南大学物理科学与技术学院;中国科学院重庆绿色智能技术研究院;湘潭大学材料与光电学院 |
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| 摘 要： | 金锗薄膜是作为电子器件欧姆电极的重要材料,真空热处理是降低欧姆电极接触电阻的重要方法.本文研究了基于PVD方法生长的Au_9Ge_1薄膜的表面形貌及其电阻与真空热处理温度之间的关系.研究发现,当真空热处理温度达到180°C时,薄膜表面开始出现由于锗原子的析出形成的零星小点.随着真空热处理温度的上升,锗原子的析出从分散的点逐渐转变成发散的雪花状,薄膜的电阻也随之出现明显下降.当真空热处理温度达到265°C时,薄膜电阻率达到最小值～2.0175Ω/mm.当真空热处理温度继续升高时,表层金原子开始团聚形成小岛状结核,同时薄膜电阻开始急剧增大.当真空热处理温度达到280°C时,薄膜电阻率达到～6.4×10~5Ω/mm,此时薄膜断电.相比于未经任何热处理的样品, 265°C的真空热处理能够将Au_9Ge_1薄膜电极的电阻率降低～50%.本研究工作为降低金锗合金电极的电阻率提供了一种有效的方法.
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