| 快离子在C60薄膜中电子能损效应 |
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| 引用本文： | 金运范,杨茹,刘昌龙,王衍斌,程松,刘杰,侯明东,姚江东.快离子在C60薄膜中电子能损效应[J].科学通报,1999,44(20):2150-2153. |
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| 作者姓名： | 金运范 杨茹 刘昌龙 王衍斌 程松 刘杰 侯明东 姚江东 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院近代物理研究所
2. 兰州大学物理系,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，中国科学院重点项目，国家自然科学基金，18975048;19675054，KJ952-S1-423，，，， |
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| 摘 要： | 用Ｒａｍａｎ散射技术分析了１７１．２ＭｅＶＳ＾９＋和１２０ｋｅＶ的Ｈ＾＋离子在Ｃ６０薄膜中电子能损引起的效应，即晶态→非晶态转变。在Ｈ＾＋离子辐照的情况下，发现电子能损有明显的退火效应，致使Ｃ６０晶态→非晶态转变过程中，经过一个石墨化的中间过程。而在Ｓ＾９＋离子辐照的情况下，电子能损的破坏作用超过了退火效应，不存在石墨化的中间过程。
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| 关 键 词： | 电子能损效应 C60薄膜 快离子 退火效应 |
| 收稿时间： | 1999-02-12 |
| 修稿时间： | 1999-09-01 |
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