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| 前驱体中Bi含量对Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)薄膜结构和性能的影响 | |
| 作者姓名： | 付承菊 黄志雄 李杰 郭冬云 |
| 作者单位： | 武汉理工大学材料科学与工程学院;重庆科技学院机械工程学院;武汉大学物理科学与技术学院; |
| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(批准号:2007ABA309) |
| 摘 要： | 分别配制了Bi含量为90,100和110mole%的前驱体,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜,研究前驱体中Bi含量对其微观结构和铁电性能的影响.前驱体中Bi含量增加可以有效地改善薄膜的结晶性能和表面形貌.对Pt/Bi3.4Ce0.6Ti3O12/Pt电容结构进行电学性能测量,发现Bi过量10%的前驱体制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有较好的性能:室温下,在测试频率1kHz时,其介电常数为172,介电损耗为0.033;在测试电场为600kV/cm时,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别达到67.1μC/cm2和299.7kV/cm;同时还表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能. |
| 关 键 词： | 铁电性能 Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜 Sol-gel法 Bi含量 |
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