TGSFB晶体生长及其热释电性能 |
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引用本文: | 郑吉民.TGSFB晶体生长及其热释电性能[J].科学通报,1991,36(2):109-109. |
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作者姓名: | 郑吉民 |
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作者单位: | 南开大学化学系,南开大学化学系 天津 300071,天津 300071 |
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摘 要: | TGS晶体是优良的红外热释电材料,化学组成为(NH_2CH_2COOH)_2·H_2SO_4],属单斜晶系,空间群为P2_1,极化方向为二次轴方向。TGS晶体的居里温度T_C为49℃,49℃以下为铁电相,49℃以上为顺电相,只有铁电相时才有热释电性能。为了进一步提高居里温度,加宽器件的使用范围,同时进一步提高优值比(P/8),本文旨在得出用H_2BeF_4有规律的部分取代TGS晶体中的H_2SO_4,生长出的TGSFB晶体的热释电性能和应用前景。
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关 键 词: | 晶体 TGSFB 热释电 晶体生长 |
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