| 采用0．13μm CMOS工艺开关电容Δ∑调制器的设计和实现 |
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| 引用本文： | 杨志民,马永杰,摆玉龙,马义德.采用0．13μm CMOS工艺开关电容Δ∑调制器的设计和实现[J].云南大学学报(自然科学版),2008,30(4). |
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| 作者姓名： | 杨志民 马永杰 摆玉龙 马义德 |
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| 作者单位： | [1]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070 [2]兰州交通大学机电技术研究所,甘肃兰州730070 [3]兰州大学信息科学与工程学院,甘肃兰州730000 |
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| 摘 要： | 采用0．13μmCMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶Δ∑调制器，该调制器能够将一个中心频率为455kHz，带宽为10kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62dB的1位编码信号．在设计运算放大器时，充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求，特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数．所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm，工作电压为1．2V．与其它的同类调制器相比，由于采用0．13μmCMOS工艺进行设计，因而芯片面积小，工作电压低．
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| 关 键 词： | 集成电路 0．13μm工艺 Δ∑调制器 设计 |
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