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任意形状导体空腔内的电位及场强分析
引用本文:何红雨.任意形状导体空腔内的电位及场强分析[J].松辽学刊,2003,24(3):86-88.
作者姓名:何红雨
作者单位:右江民族师范高等专科学校物理与电子信息科学系 广西百色533000
摘    要:由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布,说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀,但空腔内部的电位仍然处处相等,整个导体是等位体,场强分布为零,与导体空腔形状无关.这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。

关 键 词:任意形状导体空腔  电位分布  场强分布  泊松方程  电荷分布  等位体  电磁学  电磁场
文章编号:1000-1840-(2003)03-0086-03
修稿时间:2003年4月28日

Analyze on Electric Potential and Electric- field Intensity in Conductor Cavities of Random Shapes
Abstract:
Keywords:conductor cavity  electric potential  electric-field intensity  poisson's equation  
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