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| 加氨砷压法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x:N/GaP | |
| 引用本文： | 方志烈 ,汪曼生,倪林福.加氨砷压法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x:N/GaP[J].复旦学报(自然科学版),1983(1). |
| 作者姓名： | 方志烈 汪曼生 倪林福 |
| 作者单位： | 江南无线电材料厂，上海半导体器件六厂 |
| 摘 要： | 近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x>0.5)由低发光效率的间接跃迁型能带结构,转变为具有高发光效率的“类直接跃迁”型能带结构GaAS_(1-x)P_x:N(x>0.5),这种材料可用来制造橙红色和黄色发光器件.由于较短波长具有较高的视感度,其实际流明效率超过用GaAs_(0.06)P_(0.04)/GaAs制成的红色发光器件. |
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