| S波段单片低噪声放大器 |
| |
| 引用本文： | 彭龙新,李建平,蒋幼泉,魏同立.S波段单片低噪声放大器[J].东南大学学报(自然科学版),2004,34(1):5-9. |
| |
| 作者姓名： | 彭龙新 李建平 蒋幼泉 魏同立 |
| |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心,南京,210096;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;东南大学微电子中心,南京,210096 |
| |
| 摘 要： | S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源( 5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5～26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.
|
| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 静电 |
| 文章编号： | 1001-0505(2004)01-0005-05 |
| 修稿时间： | 2003年6月18日 |
S-band MMIC low noise amplifier |
| |
| Peng Longxin , Li Jianping Jiang Youquan Wei Tongli.S-band MMIC low noise amplifier[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2004,34(1):5-9. |
| |
| Authors: | Peng Longxin Li Jianping Jiang Youquan Wei Tongli |
| |
| Institution: | Peng Longxin 1,2 Li Jianping 2 Jiang Youquan 2 Wei Tongli 1 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | pseudomophic high electron mobility transistor microwave monolithic integrated circuit low noise amplifier electrostatic discharge |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
