MoTe2的电子结构及光学性质的理论研究 |
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作者姓名: | 马睿华 刘珊珊 辛霞 周慧颖 任梦琦 伍冬兰 |
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作者单位: | 井冈山大学数理学院,江西,吉安 343009;井冈山大学数理学院,江西,吉安 343009;井冈山大学数理学院,江西,吉安 343009;井冈山大学数理学院,江西,吉安 343009;井冈山大学数理学院,江西,吉安 343009;井冈山大学数理学院,江西,吉安 343009 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(11564019,11147158);江西省教育厅科研课题(GJJ170654) |
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摘 要: | 利用密度泛函理论第一性原理方法对MoTe_2的能带结构、能态密度和光学性质进行了理论计算,得到能带结构、态密度、光吸收谱、能量损失谱和介电函数等光学性质。结果表明:MoTe_2具有间接带隙宽度为1.066 eV的半导体材料,价带主要由Mo的5s4p价电子和Te的5s5p价电子起主要作用;导带由Mo和Te的4d价电子起主要作用。由获得的光学性质可知,介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区;位于可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为2.84×10~5cm~(-1);同时在光子能量为16.40 eV处出现了共振现象,其它区域内电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用。
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关 键 词: | MoTe2 电子结构 光学性质 第一性原理 |
收稿时间: | 2019-11-13 |
修稿时间: | 2019-11-13 |
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