| Ce掺杂HfO_2薄膜的化学溶液法制备及其铁电性能研究 |
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| 引用本文： | 赵紫东,刘恒,郑帅至,廖敏,周益春.Ce掺杂HfO_2薄膜的化学溶液法制备及其铁电性能研究[J].湘潭大学自然科学学报,2019(3):82-89. |
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| 作者姓名： | 赵紫东 刘恒 郑帅至 廖敏 周益春 |
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| 作者单位： | 湘潭大学材料科学与工程学院;湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室 |
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| 摘 要： | 氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体(CMOS)工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该文通过化学溶液法在铂(Pt)衬底上制备5 mol%和10 mol%的铈掺杂氧化铪基(Ce:HfO_2)薄膜,并在不同的退火温度条件下对薄膜进行处理.分别利用电滞回线,掠入射X射线衍射(GIXRD)对薄膜的铁电性能和结构进行了测试和表征.研究发现:5 mol%的铈掺杂氧化铪薄膜具有铁电性,铈掺杂在氧化铪中诱导了铁电正交相;10 mol%的铈掺杂氧化铪薄膜则表现出了反铁电性,最大剩余极化(P_r)为21.02μC/cm~2.实验结果表明,通过调控掺杂浓度,铈元素能诱导出氧化铪薄膜中的铁电相.
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| 关 键 词： | Ce掺杂 铁电薄膜 二氧化铪 化学溶液法 |
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