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| Si过渡层Co／Cu／Co三明治膜巨磁电阻效应的影响 | |
| 引用本文： | 李冠雄,沈鸿烈.Si过渡层Co／Cu／Co三明治膜巨磁电阻效应的影响[J].中国科学(E辑),2000,30(1):15-21. |
| 作者姓名： | 李冠雄 沈鸿烈 |
| 摘 要： | 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜，研究了不同厚度的Ｓｉ过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响，发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到０．９ｎｍ时表现出明显的各向异性，而过渡层工小于０．９ｎｍ时基本上呈各向同性，巨磁电阻的各向异性可由三明治膜的平面内磁各向异性解释，在Ｓｉ过渡层和金属Ｃｏ层的界面处相互扩散形成具有（３０１）择优取向的Ｃｏ２Ｓｉ诱导了三明治膜的这 |
| 关 键 词： | 过渡层 巨磁电阻 三明治膜 钴／铜／钴 硅 |
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