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| 利用恒流非稳态MOS特性直接测量硅外延层杂质分布(Ⅰ) | |
| 引用本文： | 谭长华,许铭真.利用恒流非稳态MOS特性直接测量硅外延层杂质分布(Ⅰ)[J].北京大学学报(自然科学版),1980(1). |
| 作者姓名： | 谭长华 许铭真 |
| 作者单位： | 北京大学计算机科学技术系 (谭长华)，北京大学计算机科学技术系(许铭真) |
| 摘 要： | 本文提出了利用恒流非稳态MOS特性测量硅外延层杂质分布的一种快速,简捷的新方法。此法由于没有反向传导电流的影响,所以,比利用肖特基势垒方法要精确些;由于克服了二倍费米势的限制,所以,比通常的MOS方法所测的范围要宽些;由于是一种直接测量,所以比一般MOS脉冲方法更快些。因此,用此法测量的外延层分布是实际载流子分布的一种较好的近似。这种方法适合于外延片生产自动化过程中的快速测量。 |
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