| 退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 姚斌,关丽秀.退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响[J].松辽学刊,2007,28(3):8-12. |
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| 作者姓名： | 姚斌 关丽秀 |
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| 作者单位： | 吉林大学物理学院,吉林长春130023 |
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| 基金项目： | Program for National Science Foundation of China（30670293 ）. Fund for University of the Higher Edueation on Doctor＇s degree（200850200009） |
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| 摘 要： | 本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 真空退火 p型导电 磁控溅射 半导体 |
| 文章编号： | 1000-1840-（2007）03-0008-05 |
| 收稿时间： | 2007-07-24 |
| 修稿时间： | 2007-07-24 |
The Effect of Annealing Temperature on Structural, Electrical Conduction and Optical Properties of Undoped ZnO Films |
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| YAO Bin,GUAN Li-xiu.The Effect of Annealing Temperature on Structural, Electrical Conduction and Optical Properties of Undoped ZnO Films[J].Songliao Journal (Natural Science Edition),2007,28(3):8-12. |
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| Authors: | YAO Bin GUAN Li-xiu |
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| Institution: | Department of Physics, Jilin University, Changchun 130023, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Zinc oxide vacuum annealing p-type conduction rf magnetron sputtering Semiconductor |
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