| In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂 |
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| 引用本文： | 周文政,代娴,林铁,商丽燕,崔利杰,曾一平,褚君浩.In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂[J].广西大学学报(自然科学版),2010,35(6). |
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| 作者姓名： | 周文政 代娴 林铁 商丽燕 崔利杰 曾一平 褚君浩 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，广西大学科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。
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| 关 键 词： | 量子阱 二维电子气 磁输运 零场自旋分裂 |
Zero-field spin splitting of two-dimensional electron gas in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well |
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| SHANG Li-yan,CUI Li-jie,ZENG Yi-ping,CHU Jun-hao,ZHOU Wen-zheng,DAI Xian,LIN Tie.Zero-field spin splitting of two-dimensional electron gas in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well[J].Journal of Guangxi University(Natural Science Edition),2010,35(6). |
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| Authors: | SHANG Li-yan CUI Li-jie ZENG Yi-ping CHU Jun-hao ZHOU Wen-zheng DAI Xian LIN Tie |
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