| 多晶硅薄膜和金属铝接触的研究 |
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| 引用本文： | 马平西 师延进. 多晶硅薄膜和金属铝接触的研究[J]. 大连理工大学学报, 1989, 29(2): 197-202 |
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| 作者姓名： | 马平西 师延进 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理系(马平西，魏希文，王美田)，东北微电子研究所(师延进)，东北微电子研究所(陈国栋) |
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| 摘 要： | 研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。
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| 关 键 词： | 多晶硅 薄膜 铝 欧姆接触 |
Research on Poly-Si/Al Contact |
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| Ma Pingxi,Wei Xiwen,Wang Meitian,Shi Yanjin,Chen Guodong. Research on Poly-Si/Al Contact[J]. Journal of Dalian University of Technology, 1989, 29(2): 197-202 |
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| Authors: | Ma Pingxi Wei Xiwen Wang Meitian Shi Yanjin Chen Guodong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polycrystal silicon film thin film aluminium oh mic contact rectifying contact/contact resistivity doping concentration |
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