|
|||||
|
|
| 脉冲式XeCl激光辐照a—Si：H膜诱导晶化的研究 | |
| 引用本文： | 杜开瑛,莫敏.脉冲式XeCl激光辐照a—Si：H膜诱导晶化的研究[J].四川大学学报(自然科学版),1994,31(1):57-63. |
| 作者姓名： | 杜开瑛 莫敏 |
| 摘 要： | 当脉冲辐射ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ＾２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ＾－１～５１７ｃｍ＾－ |
| 关 键 词： | 氢化非晶硅 脉冲激光 晶化 薄膜 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |