| SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展 |
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| 引用本文： | 余金中,陈少武,夏金松,王章涛,樊中朝,李艳萍,刘敬伟,杨笛,陈媛媛.SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展[J].中国科学(E辑),2004,34(10):1081-1093. |
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| 作者姓名： | 余金中 陈少武 夏金松 王章涛 樊中朝 李艳萍 刘敬伟 杨笛 陈媛媛 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家“九七三”计划(批准号: G2000-03-66)，“八六三”计划(批准号: 2002AA312060)，国家自然科学重大基金(批准号: 69896260)，重点基金(批准号: 60336010)资助项目 |
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| 摘 要： | SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型2×2热光波导光开关, 在此基础上首次研制出4×4和8×8 SOI平面集成波导光开关矩阵.
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| 关 键 词： | 光波导 单模条件 MMI(多模干涉) 集成光开关矩阵 SOI(绝缘衬底上的硅) |
| 收稿时间： | 2004-09-06 |
| 修稿时间： | 2004-09-16 |
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