| 在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究 |
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| 引用本文： | 许晟瑞,周小伟,郝跃,杨林安,张进成,毛维,杨翠,蔡茂世,欧新秀,史林玉,曹艳荣.在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究[J].中国科学:信息科学,2011(2):234-238. |
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| 作者姓名： | 许晟瑞 周小伟 郝跃 杨林安 张进成 毛维 杨翠 蔡茂世 欧新秀 史林玉 曹艳荣 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002); 国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191),国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033); 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000904009)资助 |
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| 摘 要： | 在r面蓝宝石（Al2O3）衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光（PL）谱,高分辨X射线衍射仪（HRXRD）,原子力显微镜（AFM）,和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着SiH4流量的增加而提高.但是随着硅的掺入,材料迁移率极大提高,这种现象主要是由于镓空位（VGa）被填补引起的.
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| 关 键 词： | 非极性 GaN HRXRD 光致发光 |
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