| 室温下硅与硅锗合金的热电性能研究 |
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| 引用本文： | 井群,司海刚,张世华,王渊旭.室温下硅与硅锗合金的热电性能研究[J].河南大学学报(自然科学版),2010,40(5). |
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| 作者姓名： | 井群 司海刚 张世华 王渊旭 |
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| 作者单位： | 1. 石河子大学,生态物理重点实验室,师范学院物理系,新疆,石河子,832000
2. 河南大学,物理与电子学院计算材料科学研究所,河南,开封,475004 |
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| 基金项目： | 河南省科技厅基础前沿计划资助课题 |
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| 摘 要： | 采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于其热导率也高,故不是良好的热电材料,但若与其同族的元素锗形成合金,就可使材料的热导率得到显著下降,伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显,从而可获得较大的热电优值,而且在硅锗合金中锗含量不同时,热电优值也会有变化.
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| 关 键 词： | 热电材料 硅锗合金 热电优值 输运性质 |
The Study on Thermoelectric Property of Si and SiGe Alloy at Ambient Temperature |
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| JING Qun,SI Hai-gang,ZHANG Shi-hua,WANG Yuan-xu.The Study on Thermoelectric Property of Si and SiGe Alloy at Ambient Temperature[J].Journal of Henan University(Natural Science),2010,40(5). |
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| Authors: | JING Qun SI Hai-gang ZHANG Shi-hua WANG Yuan-xu |
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