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| 高性能Si1—xGex／Si异质结内光电子发射红外探测器 | |
| 引用本文： | 毛明春,盛伯苓.高性能Si1—xGex／Si异质结内光电子发射红外探测器[J].自然科学进展,1998,8(2):175-180. |
| 作者姓名： | 毛明春 盛伯苓 |
| 摘 要： | 利用Ｓｉ分子束外延技术，及硅平面器件工艺，制作了工作温度大于液氮温度的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质内光电子发射红探测器。探测器的黑体探测率在７７Ｋ时达到１．２＊１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ。 |
| 关 键 词： | 异质结 内光电子发射 红外探测器 硅 半导体 |
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