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| α－Si：H快速退火电学性质的研究 | |
| 作者姓名： | 董会宁 杨文颖 |
| 作者单位： | 四川师范大学固体所 |
| 摘 要： | 对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加．经８００℃，８ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ． |
| 关 键 词： | α－Si：H，快速退火，霍尔效应 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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