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| GLTGS晶体生长及其热释电性能 | |
| 作者姓名： | 常新安 李云飞 王民 蒋耘华 王希敏 张克从 |
| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;国家建材局人工晶体研究所,北京,100018;山东大学晶体材料研究所,济南,250100;北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022 |
| 摘 要： | 根据结构与性能的关系,选择胍基乙酸作为掺质,采用水溶液降温法生长了ＧＬＴＧＳ晶体,发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化。对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量。结果表明,掺质显著地增强了晶体的热释电效应,与纯ＴＧＳ晶体相比,ＧＬＴＧＳ晶体在２０￣３０℃的温度范围内,热释电系数增加了４９．３％￣５５．８％,品质因子增加了３５．４％￣４９．３％。另外,经过测量晶体的电滞回线发现 |
| 关 键 词： | GLTGS晶体生长 热释电系数 品质因子 矫顽电场 |
| 收稿时间： | 1999-10-10 |
| 修稿时间： | 2000-05-10 |
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