|
|||||
|
|
| GLTGS晶体生长及其热释电性能 | |
| 引用本文： | 常新安,李云飞,王民,蒋耘华,王希敏,张克从.GLTGS晶体生长及其热释电性能[J].科学通报,2000,45(12):1263-1267. |
| 作者姓名： | 常新安 李云飞 王民 蒋耘华 王希敏 张克从 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022 2. 国家建材局人工晶体研究所,北京,100018 3. 山东大学晶体材料研究所,济南,250100 4. 北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022 |
| 摘 要： | 根据结构与性能的关系，选择胍基乙酸作为掺质，采用水溶液降温法生长了ＧＬＴＧＳ晶体，发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化。对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量。结果表明，掺质显著地增强了晶体的热释电效应，与纯ＴＧＳ晶体相比，ＧＬＴＧＳ晶体在２０￣３０℃的温度范围内，热释电系数增加了４９．３％￣５５．８％，品质因子增加了３５．４％￣４９．３％。另外，经过测量晶体的电滞回线发现 |
| 关 键 词： | GLTGS晶体生长 热释电系数 品质因子 热释电性能 |
| 收稿时间： | 1999-10-10 |
| 修稿时间： | 2000-05-10 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 | |