| 纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展 |
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| 引用本文： | 陈伟,刘杰,马晓华,郭刚,赵元富,郭晓强,罗尹虹,姚志斌,丁李利,王晨辉,陈荣梅,何宝平,赵雯,张凤祁,马武英,翟鹏飞,王祖军,刘天奇,郭红霞,刘建德,杨海亮,胡培培,丛培天,李宗臻.纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展[J].科学通报,2018(13). |
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| 作者姓名： | 陈伟 刘杰 马晓华 郭刚 赵元富 郭晓强 罗尹虹 姚志斌 丁李利 王晨辉 陈荣梅 何宝平 赵雯 张凤祁 马武英 翟鹏飞 王祖军 刘天奇 郭红霞 刘建德 杨海亮 胡培培 丛培天 李宗臻 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;中国科学院近代物理研究所;西安电子科技大学微电子学院;中国原子能研究院抗辐照应用技术创新中心;北京微电子技术研究所;清华大学工程物理系 |
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| 摘 要： | 电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性能的抗辐射加固纳米器件是必然的趋势.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,分析了纳米器件辐射效应面临的新问题.纳米工艺存在着很多不同于大尺寸工艺的特点,沟道长度缩小到十几个纳米,栅氧化层等效厚度小于1 nm.在工艺上引入了纵向逆掺杂阱或横向晕环掺杂技术,以降低栅极诱导漏极漏电效应;在材料上引入了多元半导体材料、应变硅、锗硅、高k栅介质、金属栅极等,以降低器件功耗;在结构上引入了三维Fin FET结构,以增强栅的控制能力.这种趋于物理极限的工艺特点、新材料和新结构的采用产生了许多新的辐射效应现象和机制,模拟试验技术更加复杂,给抗辐射加固技术研究带来了新的挑战.本文综述了纳米器件辐射效应的研究现状和趋势,重点针对28 nm及以下特征工艺纳米器件辐射效应研究及模拟试验的需求,提出了需要研究的科学问题和关键技术,希望能为纳米器件抗辐射加固与空间应用提供参考.
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