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| 常温下n-Ge中的反常电导效应及其与反常霍耳、反常磁致电阻效应的关系 | |
| 引用本文： | 邢旭.常温下n-Ge中的反常电导效应及其与反常霍耳、反常磁致电阻效应的关系[J].科学通报,1987,32(24):1857-1857. |
| 作者姓名： | 邢旭 |
| 作者单位： | 东北师范大学物理系 长春 (邢旭)，吉林省实验中学 长春(杨春芳) |
| 摘 要： | 半导体反常电磁特性的研究,已有30多年的历史。但由于对其机理的探讨,目前分岐很大,所以至今这方面的实验研究和理论研究都还正在发展中。 目前,已发现的半导体反常电磁特性,均出现在低温和超低温区。因此,相应的许多理论也都以低温和超低温为前提条件。 |
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