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| 切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究 | |
| 作者单位： | ;1.长春理工大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在(111)切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应。实验结果表明:硅单晶的线性电光效应十分可观,在设计硅基光电子器件时必须考虑。该效应在未来有可能作为一种研究硅器件的空间电荷区性质的工具。 |
| 关 键 词： | 硅 普克尔斯效应 空间电荷区 |
Study on the Pockels Effect of Tangential Nearly Intrinsic Silicon Single Crystal |
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