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| InP补底上LP—MOCVD生长InAs自组装量子点 | |
| 引用本文： | 王本忠,刘式墉.InP补底上LP—MOCVD生长InAs自组装量子点[J].吉林大学自然科学学报,1997,13(2):70-72. |
| 作者姓名： | 王本忠 刘式墉 |
| 作者单位： | 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区 |
| 摘 要： | 报道利用低压金属有机化学气相沉积技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＡｓ自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为１６０３ｎｍ，分布在１３００ｎｍ￣１７００ｎｍ范围内，半高峰宽为８０ｍｅＶ。 |
| 关 键 词： | 砷化铟 自组装量子点 MOCVD 磷化铟 衬底 |
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