| 4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应 |
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| 引用本文： | 刘忠永,蔡理,刘保军,刘小强,崔焕卿,杨晓阔. 4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应[J]. 空军工程大学学报(自然科学版), 2018, 19(3): 95-100 |
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| 作者姓名： | 刘忠永 蔡理 刘保军 刘小强 崔焕卿 杨晓阔 |
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| 作者单位： | 空军工程大学基础部;空军工程大学航空机务士官学校 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11405270) |
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| 摘 要： | 4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)由于N型底部辅助层(NBAL)的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度。利用器件仿真器Atlas建立了器件的二维仿真结构,对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比,随后研究了NBAL浓度变化对4H-SiC半超结VDMOSFET抗SEB能力的影响。结果表明,在相同漏电压下,NBAL导致半超结VDMOSFET在N-漂移区/N+衬底结处的电场峰值比超结VDMOSFET的电场峰值降低了27%。超结VDMOSFET的SEB阈值电压(VSEB)为920V,半超结VDMOSFET的VSEB为1 010V,半超结VDMOSFET的抗SEB能力提升了10%。随着NBAL浓度的逐渐增加,半超结VDMOSFET的抗SEB能力先增强后减弱,存在一个最优的NBAL浓度使其抗SEB能力最好。
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| 关 键 词： | 4H-SiC 垂直双扩散MOSFET 半超结 单粒子烧毁 |
Single Event Burnout of 4H-SiC Semi-Super-Junction VDMOSFET |
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| LIU Zhongyong,CAI Li,LIU Baojun,LIU Xiaoqiang,CUI Huanqing,YANG Xiaokuo. Single Event Burnout of 4H-SiC Semi-Super-Junction VDMOSFET[J]. Journal of Air Force Engineering University(Natural Science Edition), 2018, 19(3): 95-100 |
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| Authors: | LIU Zhongyong CAI Li LIU Baojun LIU Xiaoqiang CUI Huanqing YANG Xiaokuo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC VDMOSFET semi-super-junction single event burnout (SEB) |
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