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| 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器 | |
| 引用本文： | 叶芸,吴雯,刘婵,胡光,张凯,顾豪爽. 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器[J]. 湖北大学学报(自然科学版), 2007, 29(2): 153-155 |
| 作者姓名： | 叶芸 吴雯 刘婵 胡光 张凯 顾豪爽 |
| 作者单位： | 湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062 |
| 基金项目： | 湖北省武汉市科技攻关项目 , 国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征结果证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537 GHz,机电耦合系数3.75%,串、并联品质因数分别为101.8、79.7. |
| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器 氮化铝 择优取向 空腔 |
| 文章编号： | 1000-2375（2007）02-0153-03 |
| 收稿时间： | 2006-12-19 |
| 修稿时间： | 2006-12-19 |
Film bulk acoustic resonator based on AlN piezoelectric cell |
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| YE Yun,WU Wen,LIU Chan,HU Guang,ZHANG Kai,GU Hao-shuang. Film bulk acoustic resonator based on AlN piezoelectric cell[J]. Journal of Hubei University(Natural Science Edition), 2007, 29(2): 153-155 | |
| Authors: | YE Yun WU Wen LIU Chan HU Guang ZHANG Kai GU Hao-shuang |
| Abstract: | Film bulk acoustic resonator was fabricated in backside air-gap structure using Silicon bulk micromachining technique,with Aluminum nitride films as piezoelectric material.The measurement results show that the AlN films,deposited under optimized sputtering condition,were featured in(002) preferred orientation and well-textured columnar structure.The fashioned air-gap,characterized by scanning microscope,was confirmed with smooth surface on the back and good anisotropy.The fabricated resonator was measured using a network analyzer,and finally achieved a resonant frequency of 2.537 GHz,effective electromechanical coupling coefficient(K2eff) of 3.75%,series quality(Qs) and parallel quality(Qp) of 101.8 and 79.7,respectively. |
| Keywords: | film bulk acoustic resonator(FBAR) aluminum nitride(AlN) preferred orientation air-gap |
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