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| 质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较 | |
| 引用本文： | 孙旭芳,王荣,刘运宏,郭增良,张新辉.质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较[J].北京师范大学学报(自然科学版),2006,42(5):489-491. |
| 作者姓名： | 孙旭芳 王荣 刘运宏 郭增良 张新辉 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京 2. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,00875,北京 3. 信息产业部第18研究所,300381,天津 |
| 基金项目： | 北京市优秀人才培养基金 |
| 摘 要： | 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同. |
| 关 键 词： | GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 电子辐照 |
| 收稿时间： | 2006-04-02 |
| 修稿时间： | 2006年4月2日 |
A COMPARISON OF ELECTRIC PROPERTY CHANGES OF GaAs/Ge SPACE SOLAR CELL IRRADIATED BY PROTON AND ELECTRON |
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| Sun Xufang,Wang Rong,Liu Yunhong,Guo Zengliang,Zhang Xinhui.A COMPARISON OF ELECTRIC PROPERTY CHANGES OF GaAs/Ge SPACE SOLAR CELL IRRADIATED BY PROTON AND ELECTRON[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2006,42(5):489-491. | |
| Authors: | Sun Xufang Wang Rong Liu Yunhong Guo Zengliang Zhang Xinhui |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs/Ge solar cell proton irradiation electron irradiation |
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