| Si-MCM-41的合成及其影响因素 |
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| 引用本文： | 张建国,蒋庆哲,郑成国,宋昭峥,柯明.Si-MCM-41的合成及其影响因素[J].石油大学学报(自然科学版),2008,32(1):113-117. |
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| 作者姓名： | 张建国 蒋庆哲 郑成国 宋昭峥 柯明 |
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| 作者单位： | 张建国（中国石油大学,重质油国家重点实验室,北京102249）;蒋庆哲（中国石油大学,重质油国家重点实验室,北京102249）;郑成国（吐哈油田原稳厂,新疆,鄯善,838202）;宋昭峥（中国石油大学,重质油国家重点实验室,北京102249）;柯明（中国石油大学,重质油国家重点实验室,北京102249） |
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| 基金项目： | 中国石油天然气股份公司项目(YJY2005KGK-KF-021) |
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| 摘 要： | 采用碱性水热合成方法制备Si-MCM-41,借助X射线衍射、N2吸附-脱附等表征手段系统研究晶化温度、晶化时间和碱量对其长程有序结构的影响.实验结果表明,随着碱用量的增加,产物的长程有序结构逐渐完善,但n(TMAOH)/n(SiO2)=0.68时,必须通过晶化过程中对pH值进行调节才可得到规整性更好的MCM-41.当n(TMAOH)/n(SiO2)=2时,MCM-41的X射线衍射特征峰强度变小,长程结构有序度降低.碱用量高会对比表面积产生负面影响,适宜的碱用量为n(TMAOH)/n(SiO2)=0.3.通过考察六方晶相的生长和完善以及孔壁的厚度、比表面积等因素,确定晶化时间为5 d.温度升高导致六方骨架上的硅物种缩聚速度增大,在150 ℃的水热合成环境中,MCM-41的长程有序结构遭到破坏,较理想的晶化温度为120 ℃.
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| 关 键 词： | Si-MCM-41 合成 孔结构 pH值调节 比表面积 孔壁厚度 |
| 文章编号： | 1673-5005(2008)01-0113-05 |
| 修稿时间： | 2007年10月8日 |
Synthesis method and its influence factors of Si-MCM-41 |
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