| 低温射频氧等离子体氧化SiO2／Si界面陷阱的DLTS研究 |
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| 引用本文： | 梁振宪,韩郑生.低温射频氧等离子体氧化SiO2／Si界面陷阱的DLTS研究[J].西安交通大学学报,1993,27(5):9-16. |
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| 作者姓名： | 梁振宪 韩郑生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学微电子技术研究所
(梁振宪，韩郑生，罗晋生)，西安交通大学微电子技术研究所(汪立椿) |
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| 摘 要： | 对温度５００℃、ＲＦ氧等离子体氧化生长的ＳｉＯ２形成的ＭＯＳ结构进行了ＤＬＴＳ测量。应用能量分辨ＤＬＴＳ模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为３～８×１０＾１２ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２；俘获截面σｎ（Ｅ）约为１０＾－１８ｃｍ＾２数量级。结合准静态Ｃ－Ｖ测量研究了后退火对陷阱的影响，经４００℃／３０分钟、Ｎ２气氛热退火可使陷阱密度降为１～２×１０＾１１ｅ
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| 关 键 词： | DLTS测量 二氧化硅 硅 界面陷阱 |
DLTS INVESTIGATION OF INTERFACE TRAPS IN LOW PEMPERATURE RF OXYGEN PLASMA GROWN SiO_2/Si STRUCTURE |
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| Liang Zhenxian Han Zhengsheng Luo Jinsheng Wang Lizhun.DLTS INVESTIGATION OF INTERFACE TRAPS IN LOW PEMPERATURE RF OXYGEN PLASMA GROWN SiO_2/Si STRUCTURE[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1993,27(5):9-16. |
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| Authors: | Liang Zhenxian Han Zhengsheng Luo Jinsheng Wang Lizhun |
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| Institution: | Department of Electronic Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF plasma oxidation DLTS measurment Interface Trap |
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