| 高功率微波对杂质半导体材料的透射计算 |
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| 引用本文： | 郭杰荣,余稳.高功率微波对杂质半导体材料的透射计算[J].湘潭大学自然科学学报,2002,24(2):68-71. |
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| 作者姓名： | 郭杰荣 余稳 |
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| 作者单位： | 1. 常德师院电子学研究所,湖南,常德,415000
2. 常德师院电子学研究所,湖南,常德,415000;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 湖南省自然科学基金项目 ( 0 0JJY2 0 0 97)，常德师院科研基金 (JJ0 12 4) |
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| 摘 要： | 主要研究了HPM脉冲直接辐照半导体材料情形，给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时，透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透射进入内部的电场值，电流密度。
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| 关 键 词： | 高功率微波 杂质半导体材料 透射 计算 |
| 文章编号： | 1000-5900(2002)02-0068-04 |
| 修稿时间： | 2001年11月15 |
Study on the effects of HPM illumination on semiconductor |
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| GUO Jierong ,YU Wen.Study on the effects of HPM illumination on semiconductor[J].Natural Science Journal of Xiangtan University,2002,24(2):68-71. |
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| Authors: | GUO Jierong YU Wen |
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| Institution: | GUO Jierong 1,YU Wen 1,2 |
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| Abstract: | This paper studied the irradiation of HPM on the surface of semiconductor.The way of how to calculate the transmission coefficient of microwave verticality incident on one dimension impurity semiconductor is discussed. The electric field s value and curent desity of transmission is be accounted. |
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| Keywords: | High power microwave Transmission Complex capacitance rate Doped semiconductor |
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