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Pb掺杂纳米ZnO压敏电阻器
引用本文:刘明玲,吕树臣.Pb掺杂纳米ZnO压敏电阻器[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2007,23(2):35-38,65.
作者姓名:刘明玲  吕树臣
作者单位:哈尔滨师范大学
基金项目:哈师大博士启动基金,黑龙江省教育厅科学技术研究项目(10551096)
摘    要:本文对掺铅ZnO(Bi2O3,Co2O3,MnO2,SnO2)系压敏电阻的烧结特性及电性能进行研究,以无机可溶性盐为原料通过简单的化学共沉淀法制取了颗粒细微、均匀的掺铅ZnO压敏陶瓷粉料.将共沉淀复合粉体进行差热和热重分析后,选定复合粉体的烧结温度为600℃.ZnO压敏电阻器的烧结温度为950℃.研究表明当铅的含量从0.5%增加到2.0%时,击穿电压从799.3 V/mm减小到688.1 V/mm.随着铅含量的增加,ZnO晶粒尺寸长大是击穿电压减小的主要原因.当Pb的物质的量分数为0.8%时,压敏电阻器的非线性系数达到α=35.2.

关 键 词:ZnO压敏电阻器  化学共沉淀  非线性系数  铅掺杂
修稿时间:2006年12月18

PREPARATION AND PROPERTIES OF Pb DOPED NANO-ZnO BASED VARISTORS
Liu Mingling,Lu Shuchen.PREPARATION AND PROPERTIES OF Pb DOPED NANO-ZnO BASED VARISTORS[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2007,23(2):35-38,65.
Authors:Liu Mingling  Lu Shuchen
Institution:Harbin Normal University
Abstract:
Keywords:ZnO based varistor  Chemical coprecipitation  Nonlinear coefficient  Pb doping
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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