低硅铝比条件下MCM-56分子筛合成规律研究 |
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作者单位: | 广西师范大学物理科学与技术学院,广西桂林541004;广西师范大学物理科学与技术学院,广西桂林541004;海南医学院医学信息学院,海南海口571101 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;研究生教育创新项目;研究生教育创新项目;大学生创新创业训练计划项目;广西壮族自治区高等学校项目 |
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摘 要: | 本文以六亚甲基亚胺(HMI)为模板剂,利用油浴加热和磁力搅拌实现的动态水热晶化合成法,通过改变硅铝物质的量之比(下文简称硅铝比,使用x表示)、晶化温度、晶化时间,研究MCM-56分子筛的合成规律。实验结果表明:硅铝比x=13.33时,因为不满足MCM-56分子筛晶体成核和生长所需的无机结构单元的条件,无法合成MCM-56分子筛;硅铝比x=16.67时,虽然138℃晶化5 d、7 d所得样品在晶面100、300、310出现了衍射峰,但结晶度不高,晶化并不完全,反应产物的结构主要为不定型态;当硅铝比x=20.20、晶化温度为138~145℃时,均可得到结晶态的MCM-56分子筛,138℃晶化7 d所合成样品的比表面积最大,为307.6 m~2/g。
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关 键 词: | 分子筛 MCM-56分子筛 低硅铝比 比表面积 |
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