| 含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析 |
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| 引用本文： | 张开彪,马书懿,马自军,陈海霞.含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析[J].西北师范大学学报,2005,41(5):37-39. |
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| 作者姓名： | 张开彪 马书懿 马自军 陈海霞 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070
(张开彪，马书懿，马自军)，西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070(陈海霞) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60276015)，教育部科学技术研究项目(204139) |
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| 摘 要： | 考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.
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| 关 键 词： | 含纳米硅的二氧化硅薄膜 电致发光 位形坐标 |
| 文章编号： | 1000-988X（2005）05-0037-03 |
| 收稿时间： | 2005-03-01 |
| 修稿时间： | 2005-05-13 |
Numerical study of electroluminescence from Si/SiO2 films |
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| Zhang KaiBiao;Ma ShuYi;Ma ZiJun;Chen HaiXia.Numerical study of electroluminescence from Si/SiO2 films[J].Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly),2005,41(5):37-39. |
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| Authors: | Zhang KaiBiao;Ma ShuYi;Ma ZiJun;Chen HaiXia |
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| Abstract: | Due to luminescence can be affected by defect in the film,configuration coordinate is used as a theoretical model,a numerical study of electroluminescence from the devices with a Au/(Si/SiO_2)/p-Si structure is given.The numerical result dedicate that there are two defect center in SiO_2 films,electrons and holes are recombined through these center.The result agree well with experimental result,and it is also according with theoretical result of quantum efficiency-recombination center luminescence. |
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| Keywords: | Si/SiO_2 film electroluminescence configuration coordinate |
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