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| ZnS-ZnSe应变层超晶格远红外反射谱研究 | |
| 作者姓名： | 崔捷 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院上海光学精密机械研究所 上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800 |
| 摘 要： | Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物超晶格是最有潜力的制做短波长光电器件的半导体材料.ZnS-ZnSe、ZnSe-ZnTe应变层超晶格由于每层中含有较大的应力,因此有许多特殊的性质,已有许多人用Raman光谱法、光致荧光法研究这种超晶格.我们用远红外反射光谱方法研究这种超晶格材料的声子模.这种方法不仅可以方便地通过声子模的测量来检测微结构的质 |
| 关 键 词： | ZnS－ZnSe 应变层超晶格 反射谱 |
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