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| 类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算 | |
| 引用本文： | 张国鼎,符彦飙,刘丽娟.类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算[J].甘肃科技,2012,28(7):55-57. |
| 作者姓名： | 张国鼎 符彦飙 刘丽娟 |
| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室,甘肃兰州730070 |
| 摘 要： | 详细研究了温度在0.1～1650eV范围内类钯Xe8+离子的DR过程.详细计算了4d、4p和4s壳层电子激发到4f和5l壳层的DR速率系数,通过比较4d、4p和4s壳层电子激发的DR速率系数,发现在中低温时,4d电子激发的DR速率数最大,在高温时,内壳层4p和4s电子激发对总DR速率系数有重要的贡献. |
| 关 键 词： | 双电子复合 速率系数 Xe8+离子 激发 |
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